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正膠顯影液TMAH 四甲基氫氧化銨 能選擇性地溶解未曝光的光刻膠，留下已曝光部分形成所需的圖形，從而將掩膜版上的圖案精確轉移到硅片等襯底材料上。同時，它還可用于硅片的濕法刻蝕，對硅等材料進行腐蝕加工，制作微機電系統（MEMS）結構，如加速度計、壓力傳感器等。
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