MicroChem光刻膠滿足客戶需求反應作用
　　
　　MicroChem光刻膠廣泛應用于在處理多種數據存儲和無線芯片到MEMS的金屬剝離MicroChem光刻膠在超出單層防腐可以延長限制剝離處理。這包括非常高的分辨率的金屬化（＜0.25µM），以及非常厚（＞4µm）金屬化。這些*的材料可幾乎滿足任何客戶需要。
　　
　　MicroChem光刻膠材料用途：金屬電梯加工，橋制造，釋放層。
　　
　　曝光過程中，MicroChem光刻膠中的感光劑發生光化學反應，從而使正膠的感光區、負膠的非感光區能夠溶解于顯影液中。正性光刻膠中的感光劑DQ發生光化學反應，變為乙烯酮，進一步水解為茚并羧酸（Indene-Carboxylic-Acid,簡稱ICA），羧酸對堿性溶劑的溶解度比未感光的感光劑高出約100倍，同時還會促進酚醛樹脂的溶解。于是利用感光與未感光的光刻膠對堿性溶劑的不同溶解度，就可以進行掩膜圖形的轉移。
　　
　　刻蝕或離子注入之后，已經不再需要光刻膠作保護層，可以將其除去，稱為去膠，分為濕法去膠和干法去膠，其中濕法去膠又分有機溶劑去膠和無機溶劑去膠。有機溶劑去膠，主要是使光刻膠溶于有機溶劑而除去；無機溶劑去膠則是利用光刻膠本身也是有機物的特點，通過一些無機溶劑，將光刻膠中的碳元素氧化為二氧化碳而將其除去；干法去膠，則是用等離子體將光刻膠剝除。